A hónap közepén írtunk arról, hogy gyorsan növelné V-NAND dizájnjainak adatsűrűségét a Samsung, amelyen belül a kilencedik generációs, 290 cellaréteget biztosító 3D NAND flash lapkák tömeggyártása már megkezdődött.
A Samsung bejelentése szerint a TLC-s, 1 terabites opció érhető el nagy mennyiségben, de a második negyedévben befut a QLC-s variáns is. A friss fejlesztések a Toggle 5.1 flash interfészt támogatják, és 33%-kal gyorsabbak az elődhöz viszonyítva, így elérhetik az akár 3,2 Gbps-os tempót is. A fogyasztás is 10%-ot javult, ami kedvező lehet a mobil eszközök piacán.
